ترانزيستور FET القرية الإلكترونية : قسم الإلكترونيات : ركن المبتدئين : ترانزيستور FET
 FET Transistor

الترانزستور فت " FET " هو اختصار لمفهوم ترنزستر تأثير المجال  Field effect transistor ويمكن أن يعمل كمفتاح وصل كما هو حال ترانزيستور ثنائي القطبية Bipolar و لكن مبدأ عمله مختلف .. فهذه القطعة الالكترونية لها مميزات من حيث الاستطاعة أو القدرة .

تركيبة ترانزيستور FET الكيميائية

ييتركب من بلورات أكسيد السيليسيوم

أطراف " أقطاب " ترنزستر تأثير المجال FET
بالنسبة للترانزستر  التقليدي ثنائي القطبية  فكما هي معرفة أطرافة .. الباعث E , القاعدة B , المجمع " المحمل - الجمع "  C
لكن تراانزيستور FET فأطرافه هي ..

S : المصدر " Source "
G : البوابة " Gate "
D : المصرف " Drain "

يتدفق التيار فى قناة ضيقة بين المنبع والمصرف بينما الجهد المطبق على البوابة الحاكمة ينتج مجال كهربى يتحكم فى تدفة التيار بينهما
يستخدم الفيت فى دوائر التكبير ويمكنه العمل كمفتاح
ملحوظة المقاومة التى يلقاها التيار عند البوابة كبيرة جدا اكبر من 10 ميجا اوم

كيف يعمل ترانزيستور تأثير المجال

إذا ما سلطنا جهدا على القطبين المصدر S والصرف D فإن المجال المغناطيسي المتولد بين البلورتين يخترق طبقة أكسيد السيليسوم ويبعد الشحنات الموجبة .. اما بالنسبة للبوابة أو الشبكة G فهي عامل حث وتعديل للشحنات الموجبة بين المصدر والصرف حسب مقتضيات الدارة

انواع ترانزيستور FET

1- JFET
" junction feld effective transistor "
وهو ترانزستر يعتمد الوصلات

له نوعين
p-chanal jfet

p-chanal jfet


----- n-type electrons
0000 p-type holes

n-type electrons
fet
ترانزيستور فت

منطقة الحاكم او القايض deplation
توئر قى دءجة الموصلية بسبب مجموعة الالكترونات او الفجوات
فى حالة توصيب يطارية فان الالكترونات تتدفق عن طريق القتاة من المنبع الى المسرب او الخرج
وكلما ازداد الفولت المطبق هنا ذادت المطقة الحاكمة وتشوه شكل انتشارها مما يعطينا قناة تدفق اضيق


لو قمنا بتوصيل يطارية ثانية تكون القناة فى قمة اتساعها عندما يكون الجهد المار بين المصدرو البوابة صفر


فى حالة اغلاق المفتاح هنا نقف وتقول اذا كانت البوابة اكثر سلبية من المصدر البطارية ستوجه الالكترونات السالية الى البوابة مما سبجذب الفجوات الموجبة لذلك نجد ان الطبقة المانعة او الحاكمة تلامس قناة التدفة مما يعنى اغلاقها وعدم مرور الالكنرونات من المنبع الى المخرج


وفى هذه الحالة الجهد المطبق على البوابة يسمى
pinch-off voltage

2- MOSFET
" metal oxide simeconductor field effective transistor "
يعتمد الشبكة المعزولة وهو الاقوى استطاعة ويستعمل كثيراً في دوائر التغذية

ويدعى ايضا
igfet(insulated gate fets)
يشبه النوع السابق الى حد ما وهو عنصر هام جدا فى الصناعات الالكترونيه فمن الممكن تصغيره الى ليشغل مساحات صغيرة من النانوميتر وبناء عليه يستخدم بكثرة فى اغلب الدارات المتكاملة
يوجد نوعين من الموسفت
enhancement المعزز
depletion الخانق او الحاكم


p-chanal enhancement


n-channal enhancement

وايكم تشريح ليعض الموسفت







فى حالة وجود جهد مقداره صفر على البوابة لا يوجد تيار يتدفق بين المنبع والمخرج



قد يتسائل البعض من البدايه لما رسمت البوابة غير متصلة بباقى الجسم الداخلى للموسفت وتكمن الحقيقه هنا ان البوابة معزولة بطبقة رقيقة جدا من اكسيد السيلكون والتى لديها مقاومة عالية جدا واذا طبقنا جهد سالب على البوابة نجد ان الفجوات الموجبة تنجزب الى المنطقة التى اسفلها مما يعطينا قناة توصيل تسمح بمرور التيار من المصدر الى المخرج



depletion
هذا النوع يكون الموسفت ذو كثافة اقل فى عدد الفجوات التراكمة اسفل البوابة وفى حالة الجهد المطبق على البوابة صفر يكون مرور الالكترونات من المنبع الى الخرج ممكنا



وفى حالة توصيل جهد سالب على البوابة ينجزب مجموعة من الفجوات الموجبة اسفل البوابة مما يعيق حركة الالكترونات السابة وتنغلق الققناة بين المصدر والخرج


يرجى ملاحظة انا لكل ترانزيستور داتا شيت خاصه به لذلك اذا اردنا معرفة شئ علينا بالرجوع للداتا شيت
تفاصيل اكثر حول هذا الموضوع


مثال تطبيق ترانزيستور FET

FET Circuit


التطبيق مقتبس من هذا الموضوع

اضف هذا الموضوع الى