القرية الإلكترونية - الكترونيات - كمبيوتر - هاردوير - خدمات المواقع - كهرباء - فضائيات - جوال - اتصالات - تكييف وتبريد - اجهزة الانتاج الزراعي - كهرباء السيارات

كود تفعيل العضوية - الابلاغ عن روابط لاتعمل - صيانة التلفزيون - الحاسبة - الأعضاء المتميزين - البرامج و المخططات - بث مباشر للقنوات الفضائية - إذاعة - تردد القنوات - بحث


لوحة مفاتيح عربية

العودة   منتدى القرية الإلكترونية > القسم الالكتروني > منتدى الإلكترونيات
التسجيل       اجعل كافة المشاركات مقروءة

منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics

رد
 
أدوات الموضوع
قديم 03-02-2007, 10:57 PM   #1
elmostafa720
بريد خاطىء

المشاركات: 311
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 11


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
ha برجاء شرح ترانزيستورات Fet

برجاء شرح ترانزيستورات Fet

مع الشكرأ
elmostafa720 غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
اعلانات
قديم 05-02-2007, 01:32 AM   #2
elmostafa720
بريد خاطىء

المشاركات: 311
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 11


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

up
ترانزيستورات Fet
elmostafa720 غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها )
  
قديم 06-02-2007, 09:33 PM   #3
elmostafa720
بريد خاطىء

المشاركات: 311
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 11


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

up
ترانزيستورات Fet
elmostafa720 غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 06-03-2007, 07:59 AM   #4
Muhammed Ghalla
مهندس

المشاركات: 42
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 10


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
بدايةً نعطي معلومات عامة عن الـ fet
* FET هي اختصار لـ Field Effect Transistor أي ترانزستور تأثير المجال و هو يتكون من ثلاثة أطراف بوابة Gate من النوع P أو N و منبع Source و مصب Drain وهي تناظر في ترانزستور ثنائي الوصلة القاعدة Base و المشع Emitter و المجمع Collector على الترتيب من حيث الوظيفة و التوصيل في الدوائر بالإضافة إلى وجود قناة Channel يمر فيها التيار بين المنبع و المصب و تيار المصب يعتمد على الجهد المطبق على البوابة تماماً مثل ثنائي الوصلة
*يوجد أنواع متعددة من الـ FET منها :
- ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلة J-FET وفيه يكون البوابة شبه موصل من النوع P أو N و المصب و المنبع معدنين و القناة شبه موصل من نوع مخالف لنوع البوابة و يتم تطبيق جهد موجب على المصب و سالب على البوابة في حالة n-channel JFET أو العكس في حالة p-channel JFET مع تأريض المنبع في الحالتين مع ملاحظة أن تطعيم البوابة يكون خفيفا جدا بالنسبة للقناة و يتم مرور تيار من المنبع إلى المصب خلال القناة التي يتم التحكم في توصيليتها عن طريق التحكم في مقاومتها بواسطة المجال الكهربي الناشئ عن جهد البوابة الذي يعتبر بمثابة انحياز عكسي للوصلة PN بين البوابة و القناة
- ترانزستور تأثير المجال ذو المعدن المرسب على أكسيد مرسب على شبه موصل MOSFET (Metal -Oxide Semiconductor FET( و فيه تكون البوابة معدن و أحياناً شبه موصل و القناة و المنبع و المصب من نفس النوع من أشباه الموصلات المطعمة و يتم العزل بين البوابة و القناة بواسطة طبقة أكسيد وهي عازلة جدا
- MESFET مثل السابق لكن لا توجد طبقة أكسيد أي أن الوصلة بين البوابة والقناة مثل دايود سكوتكي (شوتكي)
* ماذا يعني تأثير المجال ؟ في ترانزستور ثنائي الوصلة BJT المعروف تيار المجمع يعتمد على الجهد على القاعدة و هذا الجهد يتحكم في تيار القاعدة و بالتالي تيار المجمع لكن في الـ FET تكون البوابة معزولة تماماُ عن المصب و المنبع و يتم تطبيق جهد على البوابة ينشأ عنه مجال كهربي هذا المجال هو الذي يتحكم في قيمة التيار المار بين المنبع و المصب عن طريق التحكم في عرض القناة Channel التي يمر فيها التيار و يعتمد هذا التحكم على قوانين التجاذب و التنافر بين الشحنات بفعل المجال
* النوع MOSFET قد توجد فيه قناة و يتم التحكم في اتساعها زيادةً ونقصاناً ويسمى Depletion و قد لا توجد فيه قناة ويتم إيجادها و تنميتها بالمجال المتكون من جهد البوابة ويسمى enhancement
* لاحظ أن الـ fet ترانزستور أحادي القطبية unipolar حيث يكون التيار هو تيار الأغلبية majority carriers فقط
هذا و بالله التوفيق
Muhammed Ghalla غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 07-03-2007, 01:09 PM   #5
Muhammed Ghalla
مهندس

المشاركات: 42
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 10


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

اقتباس:
المشاركة الأصلية كتبت بواسطة Muhammed Ghalla
مع ملاحظة أن تطعيم البوابة يكون خفيفا جدا بالنسبة للقناة
آسف جداً العكس هو الصحيح
تطعيم القناة يكون خفيفا جدا بالنسبة للبوابة
وذلك حتى تكون معظم المنطقة الضحلة depletion layer ممتدة داخل القناة و بالتحكم فيها يتم التحكم في عرض أو اتساع القناة و بالتالي في مقاومتها للتيار ومن ثم قيمة التيار
ومرة أخرى عذراً
Muhammed Ghalla غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 07-03-2007, 11:28 PM   #6
abouomar
عضو ذهبي و مشرف سابق لمنتدى الالكترونيات والمشاريع
 
الصورة الرمزية abouomar

الدولة: مدينة القيروان تونس
المشاركات: 1,167
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 2970


النشاط

معدل تقييم المستوى: 152
افتراضي قد يكون فيه من المطلوب

السلام عليكم
يشمل هذا الطرح الترنزستر بصنفيه by polere و fet

اضغط هنا
وفقنا الله
لما يحبه ويرضاه
abouomar غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
رد

العلامات المرجعية

أدوات الموضوع

تعليمات المشاركة
You may not post new threads
You may not post replies
You may not post attachments
You may not edit your posts

BB code is متاحة
كود [IMG] متاحة
كود HTML معطلة

الانتقال السريع إلى

الساعة الآن: 02:02 PM


Powered by vBulletin® Version 3.8.6, Copyright ©2000 - 2024
Feedback Buttons provided by Advanced Post Thanks / Like (Lite) - vBulletin Mods & Addons Copyright © 2024 DragonByte Technologies Ltd.
القرية الإلكترونية