كود تفعيل العضوية - الابلاغ عن روابط لاتعمل - صيانة التلفزيون - الحاسبة - الأعضاء المتميزين - البرامج و المخططات - بث مباشر للقنوات الفضائية - إذاعة - تردد القنوات - بحث
|
التسجيل | اجعل كافة المشاركات مقروءة |
منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics |
|
أدوات الموضوع |
03-02-2007, 10:57 PM | #1 |
بريد خاطىء
المشاركات: 311
معدل تقييم المستوى: 0
|
برجاء شرح ترانزيستورات Fet
برجاء شرح ترانزيستورات Fet
مع الشكرأ |
اعلانات |
05-02-2007, 01:32 AM | #2 |
بريد خاطىء
المشاركات: 311
معدل تقييم المستوى: 0
|
up
ترانزيستورات Fet |
اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |||
|
06-02-2007, 09:33 PM | #3 |
بريد خاطىء
المشاركات: 311
معدل تقييم المستوى: 0
|
up
ترانزيستورات Fet |
06-03-2007, 07:59 AM | #4 |
مهندس
المشاركات: 42
معدل تقييم المستوى: 0
|
السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
بدايةً نعطي معلومات عامة عن الـ fet * FET هي اختصار لـ Field Effect Transistor أي ترانزستور تأثير المجال و هو يتكون من ثلاثة أطراف بوابة Gate من النوع P أو N و منبع Source و مصب Drain وهي تناظر في ترانزستور ثنائي الوصلة القاعدة Base و المشع Emitter و المجمع Collector على الترتيب من حيث الوظيفة و التوصيل في الدوائر بالإضافة إلى وجود قناة Channel يمر فيها التيار بين المنبع و المصب و تيار المصب يعتمد على الجهد المطبق على البوابة تماماً مثل ثنائي الوصلة *يوجد أنواع متعددة من الـ FET منها : - ترانزستور تأثير المجال ذو الوصلة J-FET وفيه يكون البوابة شبه موصل من النوع P أو N و المصب و المنبع معدنين و القناة شبه موصل من نوع مخالف لنوع البوابة و يتم تطبيق جهد موجب على المصب و سالب على البوابة في حالة n-channel JFET أو العكس في حالة p-channel JFET مع تأريض المنبع في الحالتين مع ملاحظة أن تطعيم البوابة يكون خفيفا جدا بالنسبة للقناة و يتم مرور تيار من المنبع إلى المصب خلال القناة التي يتم التحكم في توصيليتها عن طريق التحكم في مقاومتها بواسطة المجال الكهربي الناشئ عن جهد البوابة الذي يعتبر بمثابة انحياز عكسي للوصلة PN بين البوابة و القناة - ترانزستور تأثير المجال ذو المعدن المرسب على أكسيد مرسب على شبه موصل MOSFET (Metal -Oxide Semiconductor FET( و فيه تكون البوابة معدن و أحياناً شبه موصل و القناة و المنبع و المصب من نفس النوع من أشباه الموصلات المطعمة و يتم العزل بين البوابة و القناة بواسطة طبقة أكسيد وهي عازلة جدا - MESFET مثل السابق لكن لا توجد طبقة أكسيد أي أن الوصلة بين البوابة والقناة مثل دايود سكوتكي (شوتكي) * ماذا يعني تأثير المجال ؟ في ترانزستور ثنائي الوصلة BJT المعروف تيار المجمع يعتمد على الجهد على القاعدة و هذا الجهد يتحكم في تيار القاعدة و بالتالي تيار المجمع لكن في الـ FET تكون البوابة معزولة تماماُ عن المصب و المنبع و يتم تطبيق جهد على البوابة ينشأ عنه مجال كهربي هذا المجال هو الذي يتحكم في قيمة التيار المار بين المنبع و المصب عن طريق التحكم في عرض القناة Channel التي يمر فيها التيار و يعتمد هذا التحكم على قوانين التجاذب و التنافر بين الشحنات بفعل المجال * النوع MOSFET قد توجد فيه قناة و يتم التحكم في اتساعها زيادةً ونقصاناً ويسمى Depletion و قد لا توجد فيه قناة ويتم إيجادها و تنميتها بالمجال المتكون من جهد البوابة ويسمى enhancement * لاحظ أن الـ fet ترانزستور أحادي القطبية unipolar حيث يكون التيار هو تيار الأغلبية majority carriers فقط هذا و بالله التوفيق |
07-03-2007, 01:09 PM | #5 | |
مهندس
المشاركات: 42
معدل تقييم المستوى: 0
|
اقتباس:
تطعيم القناة يكون خفيفا جدا بالنسبة للبوابة وذلك حتى تكون معظم المنطقة الضحلة depletion layer ممتدة داخل القناة و بالتحكم فيها يتم التحكم في عرض أو اتساع القناة و بالتالي في مقاومتها للتيار ومن ثم قيمة التيار ومرة أخرى عذراً |
|
العلامات المرجعية |
أدوات الموضوع | |
|
|